PoX: la memoria desarrollada por China que escribe datos a una velocidad 10.000 veces superior a la actual
Investigadores chinos han desarrollado una memoria no volátil llamada PoX que escribe datos a una velocidad 10.000 veces superior a la actual. La memoria PoX combina la velocidad de las memorias SRAM con la persistencia de los datos de las memorias no volátiles, y consume mínimo energía. El equipo de investigación de la Universidad de Fudan, dirigido por Zhou Peng, utilizó la optimización de procesos impulsada por IA y sustituyó los clásicos canales de silicio por grafeno bidimensional para lograr esta velocidad. La memoria PoX programa un bit en 400 picosegundos, lo que supone 25.000 millones de operaciones por segundo.
...promete una revolución en la tecnología de memoria, pero no explica cómo se va a producir en masa ni qué impacto tendrá en el mercado. Sin embargo, la idea de una memoria que escribe datos a una velocidad 10.000 veces superior a la actual es emocionante. ¿Será el fin de la era de las memorias volátiles? Solo el tiempo lo dirá. Mientras tanto, podemos soñar con ordenadores que se encienden al instante y consumen menos energía que un LED.
