
Investigadores chinos han desarrollado una memoria no volátil llamada PoX que escribe datos a una velocidad 10.000 veces superior a la actual. La memoria PoX combina la velocidad de las memorias SRAM con la persistencia de los datos de las memorias no volátiles, y consume mínimo energía. El equipo de investigación de la Universidad de Fudan, dirigido por Zhou Peng, utilizó la optimización de procesos impulsada por IA y sustituyó los clásicos canales de silicio por grafeno bidimensional para lograr esta velocidad. La memoria PoX programa un bit en 400 picosegundos, lo que supone 25.000 millones de operaciones por segundo.