Investigadores de la Universidad Tecnológica de Chalmers, en Suecia, han presentado un material bidimensional que combina dos estados magnéticos opuestos, lo que podría reducir hasta 10 veces el consumo energético de los dispositivos de memoria. El estudio, publicado en la revista Advanced Materials, introduce una nueva forma de manipular el magnetismo sin necesidad de campos magnéticos externos. El material está formado por una aleación de cobalto, hierro, germanio y telurio, y su estructura permite la coexistencia de ordenamientos ferromagnéticos y antiferromagnéticos. Esto facilita el cambio de orientación de los electrones sin necesidad de aplicar campos magnéticos externos, lo que reduce significativamente el consumo energético. El nuevo enfoque no solo mejora el rendimiento energético, sino que también simplifica la fabricación de chips de memoria. El material está formado por capas unidas por fuerzas de van der Waals, lo que facilita la manipulación y el apilamiento de las capas sin perder integridad estructural. El descubrimiento tiene un potencial enorme para aplicaciones que van desde la inteligencia artificial hasta los teléfonos inteligentes, pasando por la computación en la nube, los vehículos autónomos y dispositivos del Internet de las cosas (IoT).