Investigadores de la Universidad de Nagoya han logrado crear diodos pn con óxido de galio estables y capaces de manejar el doble de corriente que las versiones anteriores. Esto podría cambiar la forma en que se diseñan dispositivos electrónicos de alta potencia, abriendo la puerta a soluciones más eficientes y menos costosas para sectores como el vehículo eléctrico o las energías renovables. El óxido de galio tiene el potencial de reducir el desperdicio de energía en forma de calor, lo que implica menos necesidad de ventilación, menor consumo energético y más durabilidad para los dispositivos. El mercado de semiconductores de óxido de galio se estima que alcanzará los 14.900 millones de yenes anuales para el año 2035. La nueva técnica utiliza equipos industriales convencionales, lo que allana el camino para una transición hacia la producción en masa. El profesor Masaru Hori, del Centro de Ciencias de Plasma de Baja Temperatura de la Universidad de Nagoya, destaca que esta tecnología podría significar baterías que duren más tiempo, sistemas de carga más rápidos y motores más compactos.