China ha desarrollado un transistor bidimensional de bismuto que es un 40% más rápido y consume un 10% menos energía que los actuales chips de silicio de tres nanómetros. El diseño ha sido publicado en la revista Nature y se presenta como un avance revolucionario en la tecnología de semiconductores. El investigador principal, Peng Hailin, afirma que esta innovación surge como una respuesta a las sanciones y como un impulso para explorar alternativas más eficientes y sostenibles en la fabricación de componentes electrónicos. El transistor bidimensional de bismuto podría revolucionar la industria tecnológica en todo el mundo.