Nodos de proceso por debajo de los 2 nanómetros

EE.UU. ha desarrollado una tecnología de escáner de chips que combina un acelerador de partículas con una fuente de rayos X, lo que permite grabar chips con una precisión superior a los sistemas EUV actuales. La empresa Substrate asegura que su sistema no solo mejora la resolución, sino que también reduce drásticamente los costes de producción de obleas avanzadas. El objetivo es abaratar la fabricación de chips de vanguardia y hacerlo dentro del territorio estadounidense, impulsando una independencia tecnológica que hasta ahora dependía del monopolio europeo. La tecnología utiliza electrones acelerados a velocidades cercanas a la de la luz para emitir rayos X con una longitud de onda aún más corta, lo que permite grabar estructuras de transistor más finas y precisas. Según sus desarrolladores, esto abriría la puerta a nodos de proceso por debajo de los 2 nanómetros sin necesidad de los complejos sistemas ópticos actuales. La empresa planea integrar esta tecnología en futuras fábricas de semiconductores construidas en suelo estadounidense, lo que permitiría producir chips avanzados sin recurrir a los escáneres europeos. La promesa es ambiciosa: obleas diez veces más baratas y una producción más eficiente, con equipos compactos que podrían instalarse incluso en plantas más pequeñas o modulares.