Samsung planea producir en masa la memoria HBM4E para 2027, con un ancho de banda de 3,25 TB/s, lo que supera las especificaciones oficiales de JEDEC. La memoria HBM4E está destinada a las GPU y ofrece una mayor capacidad y eficiencia energética. Samsung también ha anunciado otras novedades, como su próxima memoria LPDDR6 con 10,7 Gbps por pin y 114,1 GB/s, y la mejora de eficiencia de un 20% respecto a LPDDR5X. El proceso SF2 de 2 nm ya está listo y su producción en masa empezará a finales de 2025. La colaboración con Rebellions y la creación de su Rebel-CPU con un procesador que usa SF2 de Samsung y SF4X de 4 nm para la NPU también ha sido anunciada. La memoria HBM4E de Samsung espera alcanzar una velocidad de pin de al menos 13 Gbps y ofrece un aumento del 30% en el ancho de banda respecto a las especificaciones oficiales de JEDEC. La eficiencia energética ha mejorado más del doble respecto a los 3,9 picojulios por bit de HBM3E. SK Hynix y Micron ya compiten contra Samsung en HBM4, pero la surcoreana lleva ventaja con HBM4E.