Rusia ha presentado un plan para desarrollar su propia litografía EUV y de rayos X, con el objetivo de fabricar chips desde los 65 hasta los 10 nanómetros entre 2026 y 2037. El plan detalla un avance progresivo en equipos que van desde steppers de 40 nm hasta escáneres capaces de trabajar en resoluciones sub-10 nm. Dimitrii Kuznetsov ha anunciado que Rusia prevé usar EUV en sus escáneres litográficos para 2037. El Instituto de Física de Microestructuras de la Academia Rusa de Ciencias ha desvelado su nuevo roadmap, que incluye la creación de un stepper para nodos de 40 nm con ópticas de dos espejos y una precisión de alineación de 10 nm. Para el periodo 2029-2032, se prevé el salto a un escáner de 28 nm, capaz de llegar a 14 nm, con cuatro espejos, campo de exposición de 26×0,5 mm y productividades superiores a 50 W/h. Ya en 2033-2036, el horizonte apunta a escáneres de 13 nm e incluso 9 nm, con seis espejos, alineación a 2 nm y rendimientos de más de 100 W/h. Rusia también insiste en que parte de la base tecnológica de ASML en 13,5 nm se apoyó en contribuciones de científicos rusos.