Un equipo de investigadores de la Universidad Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan (UNIST) y la Universidad Yonsei en Corea del Sur ha desarrollado un método para fabricar semiconductores 2D sin dañar el medio ambiente. La técnica combina fotopatrocinado directo con disolventes ecológicos, permitiendo crear circuitos con materiales 2D como el disulfuro de molibdeno (MoS2) sin procesos tóxicos o de alta temperatura. El proceso utiliza una solución de alcohol isopropílico y un agente entrecruzador, que se activa con luz ultravioleta para solidificar el patrón deseado del circuito. Los investigadores fabricaron transistores basados en MoS2 con una movilidad de portadores de carga de 20.2 cm²/V·s y una relación on/off de 2.7 millones. La estabilidad operativa de los transistores se mantuvo durante más de dos meses sin degradación observable. El método también permite fabricar compuertas lógicas y celdas de memoria SRAM en un solo paso. El profesor BongSoo Kim destacó el potencial de esta metodología para impulsar una nueva generación de dispositivos eficientes y sostenibles.