Un equipo de ingenieros del MIT ha desarrollado un transistor magnético que utiliza un semiconductor magnético bidimensional llamado bromuro de azufre y cromo (CrSBr). Este material ofrece propiedades singulares que permiten conmutar entre dos estados magnéticos con gran precisión, lo que posibilita un control más eficiente de la corriente eléctrica y abre la puerta a una integración más estrecha entre procesamiento y almacenamiento de datos. El CrSBr es estable en condiciones ambientales normales y su estructura atómica permite alterar su estado electrónico al aplicarle una corriente eléctrica o un campo magnético. Los ingenieros del MIT diseñaron un proceso de ensamblaje especialmente limpio para construir el dispositivo, lo que reduce impurezas y mejora el rendimiento. El resultado fue una interfaz libre de contaminantes, crucial para mantener el control sobre las propiedades eléctricas y magnéticas. El transistor también destaca por su capacidad de almacenamiento integrada, lo que significa que no solo puede encenderse y apagarse, sino también recordar su estado anterior. Los investigadores ya planean mejorar el control eléctrico del material y trabajar en procesos de fabricación más escalables. El estudio fue publicado en la revista Physical Review Letters y representa un paso relevante en la transición hacia sistemas más compactos, veloces y sostenibles. Luqiao Liu, profesor asociado en el Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática del MIT, explicó que la capacidad de conmutación del transistor es diez veces más intensa que la de los transistores magnéticos anteriores.