Imec, un centro de investigación en microelectrónica, ha lanzado un programa de desarrollo de tecnología GaN sobre obleas de 300 mm, con el objetivo de abaratar costes y mejorar la eficiencia de los dispositivos energéticos. El GaN se está posicionando como el sucesor del silicio en la electrónica, permitiendo fabricar transistores y dispositivos de potencia capaces de manejar más energía con menos pérdidas de calor. El programa cuenta con la colaboración de socios estratégicos como AIXTRON, GlobalFoundries, KLA Corporation, Synopsys y Veeco. Se espera que el GaN se consolide como el material de referencia en la electrónica de potencia, con aplicaciones en CPU, GPU y centros de datos de Inteligencia Artificial. El centro de investigación espera tener su 'White Room' completamente equipada para este tamaño de oblea a finales de 2025, lo que permitirá la producción en masa de chips con mejor rendimiento y menor coste. El objetivo técnico inmediato es crear una plataforma base de tecnología lateral p-GaN HEMT destinada a aplicaciones de baja tensión, en el rango de los 100V en adelante, utilizando sustratos de silicio de 300 mm.