Huawei está a punto de presentar un avance tecnológico que reducirá la dependencia de China de los chips de memoria HBM procedentes del extranjero. La empresa china está trabajando en una tecnología de empaquetado de vanguardia para producir memorias HBM3E, que rivalizará con las empleadas por SK Hynix, Samsung o Micron. Las memorias HBM3E tienen un ancho de banda total de más de 819 GB/s, mientras que las memorias DDR5 y GDDR6X alcanzan unos 70,4 GB/s y 96 GB/s. Los fabricantes chinos de chips de memoria, como CXMT, están aumentando su capacidad de producción y cuota de mercado, con una política de precios agresiva. SK Hynix lidera el mercado de las memorias HBM con una cuota de mercado del 70%. Huawei presentará su avance tecnológico en el Foro de Aplicaciones y Desarrollo de Razonamiento de IA Financiera 2025 en Shanghái. La empresa china CXMT lanzará sus primeros chips HBM3E en 2027, mientras que SK Hynix y Samsung producirán chips HBM4 a gran escala durante el segundo semestre de 2025 y Micron lo hará en 2026.